Infineon logra los primeros dispositivos de potencia funcionales en obleas de carburo de silicio de 300 mm

Infineon Technologies ha procesado con éxito obleas de carburo de silicio (SiC) de 300 milímetros en dispositivos de potencia funcionales en su instalación de Villach, Austria. Esto marca la primera vez que se ha alcanzado tal hito en un entorno de fabricación de semiconductores a gran escala, utilizando equipos de fabricación de silicio existentes para escalar la producción de la próxima generación de electrónica de potencia.

Esta foto representa el hito específico de procesar obleas de SiC de 300 mm en dispositivos funcionales mencionado en la introducción.

Escalamiento de la eficiencia de fabricación

La transición de obleas de 200 mm a 300 mm representa un salto significativo en el rendimiento de fabricación. Debido al mayor diámetro, el formato de 300 mm proporciona 2,3 veces más chips por oblea, lo cual es fundamental para satisfacer la creciente demanda de semiconductores de potencia.

Esta imagen ilustra la diferencia de tamaño físico entre las obleas estándar de 200 mm y el nuevo formato de 300 mm discutido en la sección de escalamiento.

Al utilizar equipos de fabricación de silicio (Si) existentes para procesar estas obleas, Infineon ha demostrado que la tecnología está lista para pasar de la investigación de laboratorio a un entorno de fabricación industrial a gran escala.

“La producción de chips en obleas de 300 mm es tecnológicamente más avanzada y significativamente más eficiente que en las de 200 mm, ya que el mayor diámetro de la oblea ofrece 2,3 veces más chips por oblea.”

— Infineon marks innovation milestone with world’s first | Infineon Technologies

Ventajas del material y aplicaciones

El carburo de silicio (SiC) es un material clave de banda ancha utilizado para la conversión de potencia de alta eficiencia. Sus propiedades únicas permiten una menor pérdida de potencia y una mayor densidad de potencia, especialmente cuando se opera a altos voltajes y temperaturas.

Estas características hacen que el SiC sea vital para inversores de tracción, cargadores a bordo y almacenamiento de energía a gran escala. Además, el material es cada vez más importante en los centros de datos de IA para transformadores de estado sólido y unidades de suministro de energía.

Innovaciones tecnológicas en el procesamiento de obleas

Para dar soporte a la escala de 300 mm, Infineon también probó con éxito la tecnología 'Cold Split' en su sitio de Dresde, Alemania. Este método separa las obleas de un lingote de SiC con menos pérdida de material y tiempos de procesamiento más rápidos que el corte tradicional con hilo.

Al reducir el gasto de capital y el desperdicio de material, Cold Split ayuda a garantizar una base de suministro más rentable y segura para los clientes en los sectores automotriz e industrial.

Hoja de ruta futura y limitaciones

Si bien este hito establece la viabilidad del SiC de 300 mm, Infineon continuará ejecutando su hoja de ruta de fabricación de 200 mm existente mientras planifica el cronograma de escalada para la nueva tecnología en colaboración con sus socios.

La fuente original no especifica actualmente los costos de producción exactos, las tasas de rendimiento o el cronograma específico para cuando estos productos de SiC de 300 mm estarán disponibles comercialmente para el público.